cmos finfet 文章 進入cmos finfet技術社區(qū)
“最后也是最好的FINFET節(jié)點”
- 在該公司的北美技術研討會上，臺積電業(yè)務發(fā)展和海外運營辦公室高級副總裁兼聯合首席運營官 Kevin Zhang 稱其為“最后也是最好的 finfet 節(jié)點”。臺積電的策略是開發(fā) N3 工藝的多種變體，創(chuàng)建一個全面的、可定制的硅資源?！拔覀兊哪繕耸亲尲尚酒阅艹蔀橐粋€平臺，”Zhang 說。 截至目前，可用或計劃中 N3 變體是：N3B：基準 3nm 工藝。N3E：成本優(yōu)化的版本，具有更少的 EUV 層數，并且沒有 EUV 雙重圖形。它的邏輯密度低于 N3，但具有更好的良率。N3P：N3E 的增強版本，在相
- 關鍵字： FINFET TSMC
CMOS可靠性測試：脈沖技術如何助力AI、5G、HPC？
- 在半導體領域，隨著技術的不斷演進，對CMOS（互補金屬氧化物半導體）可靠性的要求日益提高。特別是在人工智能（AI）、5G通信和高性能計算（HPC）等前沿技術的推動下，傳統(tǒng)的可靠性測試方法已難以滿足需求。本文將探討脈沖技術在CMOS可靠性測試中的應用，以及它如何助力這些新興技術的發(fā)展。引言對于研究半導體電荷捕獲和退化行為而言，交流或脈沖應力是傳統(tǒng)直流應力測試的有力補充。在NBTI（負偏置溫度不穩(wěn)定性）和TDDB（隨時間變化的介電擊穿）試驗中，應力/測量循環(huán)通常采用直流信號，因其易于映射到器件模型中。然而，結
- 關鍵字： CMOS 可靠性測試 脈沖技術 AI 5G HPC 泰克科技
臺積電2nm馬上量產：工廠火力全開 蘋果首發(fā)
- 3月31日消息，據媒體報道，位于新竹和高雄的兩大臺積電工廠將是2nm工藝制程的主要生產基地，預計今年下半年正式進入全面量產階段。在前期試產中，臺積電已經做到了高達60%的良率表現，待兩大工廠同步投產之后，月產能將攀升至5萬片晶圓，最大設計產能更可達8萬片。與此同時，市場對2nm芯片的需求持續(xù)高漲，最新報告顯示，僅2025年第三、四季度，臺積電2納米工藝即可創(chuàng)造301億美元的營收，這一數字凸顯先進制程在AI、高性能計算等領域的強勁需求。作為臺積電的核心客戶，蘋果將是臺積電2nm工藝制程的首批嘗鮮者，預計iP
- 關鍵字： 臺積電 2nm 量產 蘋果首發(fā) 晶圓 GAAFET架構 3nm FinFET
圖像傳感器選擇標準多？成像性能必須排第一
- 當涉及到技術創(chuàng)新時，圖像傳感器的選擇是設計和開發(fā)各種設備過程中一個至關重要的環(huán)節(jié)，這些設備包括專業(yè)或家庭安防系統(tǒng)、機器人、條形碼掃描儀、工廠自動化、設備檢測、汽車等。選擇最合適的圖像傳感器需要對眾多標準進行復雜的評估，每個標準都會影響最終產品的性能和功能。從光學格式和、動態(tài)范圍到色彩濾波陣列（CFA）、像素類型、功耗和特性集成，這些標準的考慮因素多種多樣，錯綜復雜。在各類半導體器件中，圖像傳感器可以說是最復雜的。這些傳感器將光子轉換為電信號，通過一系列微透鏡、CFA、像素和模數轉換器（ADC）產生數字輸出
- 關鍵字： 圖像傳感器 CMOS 成像性能
復旦大學在Si CMOS+GaN單片異質集成的探索
- 異質異構Chiplet正成為后摩爾時代AI海量數據處理的重要技術路線之一，正引起整個半導體行業(yè)的廣泛關注，但這種方法要真正實現商業(yè)化，仍有賴于通用標準協議、3D建模技術和方法等。然而，以拓展摩爾定律為標注的模擬類比芯片技術，在非尺寸依賴追求應用多樣性、多功能特點的現實需求，正在推動不同半導體材料的異質集成研究。為此，復旦大學微電子學院張衛(wèi)教授、江南大學集成電路學院黃偉教授合作開展了Si CMOS+GaN單片異質集成的創(chuàng)新研究，并在近期國內重要會議上進行報道。復旦大學微電子學院研究生杜文張、何漢釗、范文琪等
- 關鍵字： 復旦大學 Si CMOS GaN 單片異質集成
安森美 AR0823AT Hyperlux CMOS Digital Image Sensor
- onsemi AR0823AT 是一款 1/1.8 英寸的 CMOS 數位影像感測器，擁有 3840 H x 2160 V 的有效像素陣列。這款先進的汽車用感測器能以高動態(tài)范圍 (HDR) 并結合 LED 閃爍抑制 (LFM) 捕捉影像。AR0823AT 可在每一幀中同時捕捉低光與極高亮度的場景，其 2.1 μm 超級曝光像素能實現高達 150 dB 的動態(tài)范圍，而無需進行自動曝光調整。這顯著降低了場景依賴的汽車關鍵系統(tǒng)的延遲，實現更快速且更安全的數據收集與決策。AR0823AT 的雙輸出
- 關鍵字： 安森美 AR0823AT Hyperlux CMOS Digital Image Sensor
國產無反相機產業(yè)鏈初現
- 根據相機及影像產品協會（CIPA）公布的數據，2024 年 1 月至 5 月，中國市場相機出貨量全球占比達到 23.4%，躍居繼美洲之后的全球第二大市場。在智能手機沖擊下曾一度遇冷的相機市場，如今因直播電商、短視頻等新興產業(yè)的崛起而重新煥發(fā)生機。產品創(chuàng)新與流量經濟的交織，正在為傳統(tǒng)行業(yè)打開一條全新的消費路徑。日本佳能副社長、執(zhí)行董事小澤秀樹也表示，2023 年中國數碼相機市場實現了 25% 的增長，其中無反相機更是增長了 31%，預計 2024 年這一增長勢頭將持續(xù)，無反相機的增長有望達到 35%。隨著近
- 關鍵字： 無反相機 CMOS 傳感器
使用先進的SPICE模型表征NMOS晶體管
- 為特定CMOS工藝節(jié)點設計的SPICE模型可以增強集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫了一系列關于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章，但如果我們的主要目標是準確模擬集成電路MOSFET的電學行為，那么結合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中，我將介紹下載用于IC設計的高級SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過程。然后，我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進
- 關鍵字： CMOS，MOSFET 晶體管，Spice模型
CMOS反相器開關功耗的仿真
- 當CMOS反相器切換邏輯狀態(tài)時，由于其充電和放電電流而消耗功率。了解如何在LTspice中模擬這些電流。本系列的第一篇文章解釋了CMOS反相器中兩大類功耗：動態(tài)，當反相器從一種邏輯狀態(tài)變?yōu)榱硪环N時發(fā)生。靜態(tài)，由穩(wěn)態(tài)運行期間流動的泄漏電流引起。我們不再進一步討論靜態(tài)功耗。相反，本文和下一篇文章將介紹SPICE仿真，以幫助您更徹底地了解逆變器的不同類型的動態(tài)功耗。本文關注的是開關功率——當輸出電壓變化時，由于電容充電和放電而消耗的功率。LTspice逆變器的實現圖1顯示了我們將要使用的基本LTspice逆變器
- 關鍵字： CMOS，反相器，功耗 仿真，LTspice
CMOS反相器的功耗
- 本文解釋了CMOS反相器電路中的動態(tài)和靜態(tài)功耗。為集成電路提供基本功能的CMOS反相器的發(fā)展是技術史上的一個轉折點。這種邏輯電路突出了使CMOS特別適合高密度、高性能數字系統(tǒng)的電氣特性。CMOS的一個優(yōu)點是它的效率。CMOS邏輯只有在改變狀態(tài)時才需要電流——簡單地保持邏輯高或邏輯低電壓的CMOS電路消耗的功率非常小。一般來說，低功耗是一個理想的功能，當你試圖將盡可能多的晶體管功能封裝在一個小空間中時，這尤其有益。正如計算機CPU愛好者提醒我們的那樣，充分去除集成電路中的熱量可能很困難。如果沒有CMOS反相
- 關鍵字： CMOS，反相器，功耗
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